[发明专利]一种二氧化碳超临界干燥装置无效

专利信息
申请号: 200710064875.8 申请日: 2007-03-28
公开(公告)号: CN101275806A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 李全宝;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: F26B5/16 分类号: F26B5/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及微电子技术中的微机电系统关键制造技术的牺牲层释放技术领域,公开了一种二氧化碳超临界干燥装置,该装置包括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室4和温度控制室5组成;高压反应室4用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二氧化碳气瓶相连;温度控制室5通过盘管与高压反应室4相连,实现高压反应室4的制冷和加热;分离减压室6,通过管道与高压反应室4相连,用于将醇类和二氧化碳分离,并实现减压。利用本发明,解决了微细加工中干燥时粘连的问题,并降低了液体二氧化碳的消耗量,达到了节约能源和减少环境污染的目的。
搜索关键词: 一种 二氧化碳 临界 干燥 装置
【主权项】:
1. 一种二氧化碳超临界干燥装置,其特征在于,该装置包括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室(4)和温度控制室(5)组成;高压反应室(4)用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二氧化碳气瓶相连;温度控制室(5)通过盘管与高压反应室(4)相连,实现高压反应室(4)的制冷和加热;分离减压室(6),通过管道与高压反应室(4)相连,用于将醇类和二氧化碳分离,并实现减压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710064875.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top