[发明专利]硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法无效
| 申请号： | 200710063393.0 | 申请日： | 2007-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101221904A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张俊 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法，包括刻蚀腔室，刻蚀腔室的上部依次设有安装衬环和腔室上盖，所述的安装衬环与腔室上盖之间设有3个微型压力开关，来实现对腔室上盖最低下降限位的控制，并完善了对腔室上盖升降的控制逻辑，能精确、安全、可靠的控制硅片刻蚀设备的腔室上盖的上升和下降，及合盖时的精确定位。主要适用于半导体硅片刻蚀设备，也适用于其它类似的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 设备 控制 腔室上盖 升降 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片刻蚀设备，包括刻蚀腔室，刻蚀腔室的上部依次设有安装衬环和腔室上盖，其特征在于，所述的安装衬环与腔室上盖之间设有多个压力感应装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
