[发明专利]一种发蓝绿光的发光二极管及制备方法无效
申请号: | 200710061887.5 | 申请日: | 2007-05-16 |
公开(公告)号: | CN101060164A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 刘旭光;陈柳青;许并社;周禾丰;韩培德;许慧侠;王华;卜维亮;贾虎生 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/64 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人: | 江淑兰 |
地址: | 030024山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种发蓝绿光的发光二极管及制备方法,以偏蓝+绿光的二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝Alq2A为蓝绿光发光材料、以4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺为空穴注入层、以N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺为空穴传输层、以氟化锂为电子传输层、以铝为阴极层、以导电玻璃氧化铟锡为阳极层,采用真空蒸镀、形态转换、气相沉积、薄膜生长法生成蓝绿光二极管,在真空状态下,通过化学物质固态—气态—固态形态转化,在导电玻璃上生成纳米级导电薄膜,不使用染料掺杂,直接由偏蓝+绿的Alq2A生成蓝绿光二极管,发光管强度好、亮度高,蓝绿光色坐标为X=0.2354,Y=0.5132。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝绿 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】:
1 一种发蓝绿光的发光二极管及制备方法,其特征在于:制备使用的化学物质材料为:二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝、氟化锂、铝、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺、无水乙醇、甲苯、丙酮、稀盐酸、导电玻璃、掩膜模板、透明胶带,其组合量比是:以克、毫升、毫米为计量单位N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺:C44H32N2 NPB 2.0g±0.01g二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝: C23H19AlN2O4 Alq2A 3.0g±0.02g4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺:C66H48N4 2-TNATA 2.0g±0.01g氟化锂: LiF 2.0g±0.01g铝: Al 4.0g±0.05g无水乙醇:CH3CH2OH 120ml±5ml甲苯: C7H8 120ml±5ml丙酮: CH3COCH3 120ml±5ml稀盐酸: HCl 60ml±2ml导电玻璃:氧化铟锡ITO 60×30×1mm掩膜模板:白色塑料板 60×30×0.5mm透明胶带: 480×8×0.1mm蓝绿光发光二极管为6层结构,导电玻璃氧化铟锡为阳极层、星状爆炸物4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺为空穴注入层、二胺衍生物N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺为空穴传输层、二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝Alq2A为蓝绿光发光层、氟化锂LiF为电子传输层、铝Al为阴极层。制备方法如下:(1)精选化学物质对制备所需的化学物质、材料要进行精选,并进行纯度、细度、尺寸控制:N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺:99.9%二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝:99.99%4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺:99.9%氟化锂: 99.99%铝: 99.99%无水乙醇:99.5%甲苯: 99.5%丙酮: 99.5%稀盐酸: 浓度20%导电玻璃:氧化铟锡方阻15Ω/□,透射率90%,60×30×1mm掩膜模板:白色塑料板60×30×0.5mm透明胶带:480×8×0.1mm固态原料细度:≥300目(2)腐蚀、清洗导电玻璃①测试导电玻璃正、反面导电特性,确定正面为导电面;②用稀盐酸50ml±2ml对导电玻璃正、反面进行腐蚀,时间2min±0.1min;③用白色软质纤维材料反复擦拭腐蚀后的导电玻璃;④清洗导电玻璃,分别用无水乙醇、甲苯、丙酮在超声波清洗器中进行清洗,顺序为:无水乙醇:50ml±2ml,时间15min±2min;甲苯: 50ml±2ml,时间15min±2min;丙酮: 50ml±2ml,时间15min±2min;(3)制作、清洗掩膜模板①在60×30×0.5mm的白色塑料板上,等间距对称刻制8个4×2×0.5mm的矩形模孔,内孔边缘整齐;②清洗掩膜模板,分别用无水乙醇、甲苯、丙酮在超声波清洗器中进行清洗,顺序为:无水乙醇:50ml±2ml,时间10min±1min;甲苯: 50ml±2ml,时间10min±1min;丙酮: 50ml±2ml,时间10min±1min;(4)真空干燥将清洗后的导电玻璃、掩膜模板置于真空干燥箱中进行干燥处理,干燥温度为30℃±3℃,时间10min±1min;(5)置放导电玻璃、掩膜模板①将60×30×1mm的导电玻璃正面导电面与60×30×0.5mm的掩膜模板及掩膜孔重叠,用透明胶带在四周边固定粘贴成一整体;②将重叠成整体的导电玻璃、掩膜模板的导电面对准真空蒸镀炉内的星式基盘的中间蒸镀孔位置,用透明胶带粘贴固定;掩膜模板的掩膜孔对准导电玻璃导电面,掩膜孔对准星式基盘的蒸镀孔,方向向下;(6)置放化学物质原料将二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝、氟化锂、铝、4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺分别置于蒸镀源坩锅内;(7)真空离子轰击①关闭真空蒸镀炉,开启真空机械泵、真空分子泵,控制炉内真空度压强值为3×10-4Pa;②开启真空蒸镀炉离子轰击电流控制器,轰击电流为50mA,轰击时间为12min±2min,以提高阳极功函数;(8)真空蒸镀、形态转化、薄膜生长、气相沉积、产品成型①开启真空蒸镀炉加热器,炉腔温度由20℃±3℃升至50℃±2℃,恒温时间为40min±2min;②开启石英测厚仪,石英探头检测蒸镀沉积薄膜厚度;③开启装有导电玻璃、掩膜模板的星式基盘,使其转动,星式基盘转动速度20r/min;④真空机械泵、真空分子泵继续开启,真空炉腔内压强值持续保持3×10-4 Pa;⑤蒸镀开始第1步:蒸镀空穴注入层接通蒸发源4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺坩锅,使坩锅内电阻器升温至250℃±10℃,4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)胺]三苯胺气态分子在第1层导电玻璃的掩膜模孔内沉积生长成第2层,即空穴注入层,厚度为10nm±0.02nm;第2步:蒸镀空穴传输层接通蒸发源N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺坩锅,使坩锅内电阻器升温至250℃±10℃,N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺气态分子在空穴注入层上沉积生长成第3层,即空穴传输层,厚度为50nm±0.1nm;第3步:蒸镀蓝绿光发光层接通蒸发源二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝坩锅,使坩锅内电阻器升温至350℃±10℃,二(8-羟基喹啉)乙酰丙酮合铝分子在空穴传输层上部沉积生长成第4层,即蓝绿光发光层,厚度为50nm±0.1nm;第4步:蒸镀电子传输层接通蒸发源氟化锂坩锅,使坩锅内电阻器升温至950℃±10℃,氟化锂气态分子在蓝绿光发光层上部沉积生长成第5层,即电子传输层,厚度为1nm±0.01nm;第5步:蒸镀阴极层接通蒸发源铝坩锅,使坩锅内电阻器升温至850℃±10℃,铝气态分子在电子传输层上部沉积生长成第6层,即阴极层,厚度为120nm±2nm;各蒸发源坩锅内的化学物质,分别进行加热升温,在真空状态下,温度发生变化,进行形态转化,由固态向气态转化,气态的原料粉末转化成分子态,气态分子在导电玻璃上沉积生成固态导电薄膜;在制备过程中,石英测厚仪探头全程开启测量,控制显示每个导电层的厚度,并由液晶显示器显示其数值;有机材料气相薄膜沉积速率为0.1nm/s;金属材料气相薄膜沉积速率为1nm/s;(9)真空冷却真空蒸镀完成后,关闭真空机械泵、真空分子泵,关闭电阻加热器,产物器件随炉冷却,冷却时间为6min±0.2min,至常温20℃±3℃;(10)脱膜,切割成型打开真空蒸度炉,取出导电玻璃,将导电玻璃上的掩膜模板去除,用专用工具将导电玻璃切割成8个等面积器件,即:8个蓝绿型发光二极管;(11)检测、分析、表征用亮度仪对蓝绿光二极管的发光亮度进行测试;用光谱辐射分析仪对蓝绿光二极管色坐标进行测试;用石英测厚仪对蓝绿光二极管导电层厚度进行检测;(12)封装储存对制备的蓝绿光发光二极管,分别用环氧树脂材料进行封装,以防止阴极氧化,储存于干燥、避光环境中,要防水、防潮、防氧化、防酸碱侵蚀,储存温度20℃±3℃,相对湿度≤20%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学,未经太原理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710061887.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带音响的电动自行车
- 下一篇:自行车防盗方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择