[发明专利]可调谐半导体激光器的制作方法及可调谐半导体激光器

摘要

一种可调谐半导体激光器的制作方法及可调谐半导体激光器，包括：在n型衬底上做外延生长依次为下波导层、多量子阱结构、上波导层、磷化铟层；在外延层生长二氧化硅介质膜；划分出有源波导区和光栅区；对接生长无源波导部分，然后再去除有源波导区表面的二氧化硅介质膜和磷化铟层；继续依次生长脊波导磷化铟材料、低电阻率InGaAs三元层、生长二氧化硅介质膜，并制作出脊波导以及光栅区脊波导上的光栅的图形；深刻蚀完成脊波导以及光栅区脊波导上的光栅；继续生长二氧化硅介质膜；在有源波导区和光栅区分别开出窗口制作电极隔离沟；制作激光器P面、N面电极。按上述过程制造出本发明的可调谐半导体激光器。本发明的产品性能较高，产品制作的自动化程度高，可以大大简化工艺流程，成品率高。

主权项

1.一种可调谐半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括具有如下工艺步骤：1)在n型衬底(5)上做外延生长，外延层结构由下至上依次为下波导层(6)、多量子阱结构(7)、上波导层(8)、磷化铟层(9)；2)利用等离子增强化学气相淀积系统在外延层生长二氧化硅介质膜(10)；3)利用光刻制作分段图形划分出有源波导区和光栅区，先将光栅区上的二氧化硅介质膜(10)去除，再利用选择性湿法腐蚀技术将无源区中材料全部腐蚀直到n型衬底(5)；4)利用金属有机化学气相淀积系统对接生长无源波导部分(11)，然后再去除有源波导区表面的的二氧化硅介质膜(10)和磷化铟层(9)；5)继续依次生长脊波导磷化铟材料(12)、低电阻率InGaAs三元层(13)、生长二氧化硅介质膜(14)，在二氧化硅介质膜(14)上制作出脊波导以及光栅区脊波导上的光栅(15)的图形；6)利用干法刻蚀设备进行深刻蚀一次制作完成脊波导以及光栅区脊波导上的光栅(15)，并去除二氧化硅介质膜(14)；7)再次生长二氧化硅介质膜(16)；8)利用光刻工艺在有源波导区和光栅区分别开出窗口制作电极隔离沟(17)；9)制作激光器P面、N面电极。