[发明专利]一种三氧化钨纳米片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710054544.6 申请日: 2007-06-08
公开(公告)号: CN101318702A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 陈德良;张锐;王海龙;卢红霞;许红亮 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C01G41/02 分类号: C01G41/02;B82B3/00
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 代理人: 时立新
地址: 450001河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种三氧化钨(WO3)纳米片及其制备方法。三氧化钨(WO3)纳米片的特征在于:所述三氧化钨(WO3)纳米片为单晶单斜相(JCPDS#43-1035),呈蓬松絮状,面积为(100-800)nm×(100-800)nm,表观厚度为5-40nm,BET比表面积可达100-250m2/g。其制备方法为:以钨酸基有机或无机层状混杂微/纳米带(管)为前驱物,经硝酸氧化除去前驱物层间的有机物后制得钨酸(WO3·H2O)纳米片,反应温度为15-50℃;反应时间为5-120h;所得钨酸(WO3·H2O)纳米片以1-5℃/min的加热速率升温至250-600℃,然后保温1-5h,最后自然冷却至室温脱去结晶水,制得三氧化钨纳米片。本发明工艺过程简单,操作参数变动范围大、适应性强,设备要求低,产物形貌可控、可重复性高,效率高、成本低。
搜索关键词: 一种 氧化钨 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种三氧化钨纳米片,其特征在于:三氧化钨(WO3)纳米片呈蓬松状,三氧化钨纳米片的面积为(100-800)nm×(100-800)nm,表观厚度为5-40nm,其BET比表面积可达100-250m2/g。
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