[发明专利]一种低功耗电阻存储器的实现方法无效
| 申请号： | 200710047973.0 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159309A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈邦明;尹明;唐立;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属氧化物介质层具有容易制作形成、工艺兼容性强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 电阻 存储器 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗电阻存储器的实现方法，其特征在于：在金属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间或者在两层金属氧化物电阻存储薄膜之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜；所述介质薄膜是氧化铝、氧化钽、氧化铜、氮化铜、氧化铪、氧化钨或氮氧化铜；其电阻率在10欧·cm以上；所述金属氧化物电阻存储薄膜是CuxO，1＜x≤2，或者WOx，1≤x≤3，或者NiOx，0.66＜x≤1，或者TiO2。
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