[发明专利]一种低功耗电阻存储器的实现方法无效
| 申请号： | 200710047973.0 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159309A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈邦明;尹明;唐立;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 电阻 存储器 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗电阻存储器的实现方法，其特征在于：在金属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间或者在两层金属氧化物电阻存储薄膜之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜；所述介质薄膜是氧化铝、氧化钽、氧化铜、氮化铜、氧化铪、氧化钨或氮氧化铜；其电阻率在10欧·cm以上；所述金属氧化物电阻存储薄膜是CuxO，1＜x≤2，或者WOx，1≤x≤3，或者NiOx，0.66＜x≤1，或者TiO2。
2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于所述氧化铜介质薄膜形成于CuxO存储介质层之上时，通过控制工艺自对准形成氧化铜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710047973.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双路控制电路及具有所述电路的机顶盒
- 下一篇：实心体烧烤炭及其制法
