[发明专利]氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710047376.8 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101139700A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李效民;何西亮;吴洁华;宋力昕;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/10;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于将硅靶及清洗后的衬底置于真空生长室中；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照硅靶材，同时在真空室中通入一定量的氧气，利用外部电源施加高压将通入的氧气体电离，产生高化学活性的氧等离子体，氧等离子体起辅助生长以及补充脉冲激光法沉积二氧化硅薄膜过程中需要补充的氧的作用；相比没有氧等离子体辅助的脉冲激光沉积二氧化硅薄膜，本发明可以制备出化学计量比的高性能的二氧化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 脉冲 激光 沉积 法制 二氧化硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧等离子体辅助脉冲激光沉积制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于将靶材和清洗后的衬底置于引入氧离子体的脉冲沉积的真空系统中，利用准分子脉冲激光辐照靶材，同时在所述的脉冲沉积系统中通入氧气，利用外部电源施加的高压将通入的氧气体电离，产生氧等离子体团与靶材吸收激光束高能量在瞬间熔融蒸发出硅材料羽团在衬底上结合，从而制备出化学计量比的二氧化硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710047376.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
