[发明专利]晶圆表面焊接突起的制作方法有效
| 申请号： | 200710046688.7 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101399215A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李德君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面焊接突起的制作方法，涉及半导体后段制造工艺。该制作方法包括如下步骤：在晶圆的表面涂干膜；进行曝光以及显影步骤，在干膜上形成深度与干膜厚度相等的主开口以及深度小于干膜厚度的若干个辅助开口，所述辅助开口将显影后剩余的干膜分成若干区域；向主开口内电镀金属以在晶圆表面形成焊接突起；移除剩余的干膜。相较现有技术，本发明提供的制作方法通过在干膜上设置若干个深度小于干膜厚度的辅助开口，在金属电镀完成后，不仅可以轻易将干膜移除干净，而且在移除过程中，辅助开口缓冲了干膜剥离过程中因膨胀产生的不平衡挤压力，避免了边缘的焊接突起偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 焊接 突起 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种晶圆表面焊接突起的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤：a. 在晶圆的表面涂干膜；b.进行曝光以及显影步骤，在干膜上形成深度与干膜厚度相等的主开口以及深度小于干膜厚度的若干个辅助开口，所述辅助开口将显影后剩余的干膜分成若干区域；c.向主开口内电镀金属以在晶圆表面形成焊接突起；d.移除剩余的干膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
