[发明专利]沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 200710046305.6 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101393842A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/308;H01L21/76;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽的形成方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底上具有刻蚀停止层及介质层；在所述介质层上定义出沟槽图形；刻蚀形成沟槽；对所述衬底进行高温灰化处理；利用等离子体刻蚀方法去除所述刻蚀停止层，同时去除残留的光刻胶及聚合物的微粒。本发明的沟槽形成方法，在不增加额外的工艺步骤的情况下，不仅保持了较好的沟槽侧壁形状，还可以将残留的光刻胶及聚合物去除干净，有效地改善了器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤:提供衬底，且所述衬底上具有刻蚀停止层及介质层；在所述介质层上定义出沟槽图形；刻蚀形成沟槽；对所述衬底进行高温灰化处理；利用等离子体刻蚀方法去除所述刻蚀停止层，同时去除残留的光刻胶及聚合物的微粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
