[发明专利]沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 200710046305.6 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101393842A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/308;H01L21/76;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，且所述衬底上具有刻蚀停止层及介质层；所述介质层的最表层材料与刻蚀停止层不同，用于在去除刻蚀停止层时，保护整个介质层；
在所述介质层上定义出沟槽图形；
刻蚀形成沟槽；
对所述衬底进行高温灰化处理，以去除刻蚀后残留的光刻胶及聚合物；
利用等离子体刻蚀方法去除所述刻蚀停止层，同时去除残留的光刻胶及聚合物的微粒；所述等离子体刻蚀方法去除刻蚀停止层的功率设置在800至1000W之间，所述等离子体刻蚀方法去除刻蚀停止层的腔室压力设置在40至60mTorr之间，所述等离子体刻蚀过程中通入的气体包括氧气和氢氟化碳气体；
在不影响生产周期的前提下，提高沟槽的形成质量。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述高温灰化处理的温度在200至300℃之间。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述高温灰化处理过程中通入了氧气和氮气。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为氮化硅层或掺氮的碳化硅层。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层的厚度在500至之间。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介质层至少包括氧化硅层。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介质层至少包括位于刻蚀停止层之上的未掺杂的氧化硅层和位于所述未掺杂的氧化硅层之上的氮氧化硅层。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述未掺杂的氧化硅层的厚度在1至1.8微米之内。
9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述氮氧化硅层的厚度在1000至之内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
