[发明专利]一种用于半导体材料液相外延生长的隧穿式石墨舟无效

专利信息
申请号: 200710044176.7 申请日: 2007-07-25
公开(公告)号: CN101353812A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 邓惠勇;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: C30B19/06 分类号: C30B19/06
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种用于半导体材料液相外延生长的隧穿式石墨舟,该石墨舟包括:开有隧道的舟体、与隧道横截面尺寸配合的滑块、盖板和石墨垫片。隧道的顶面开有数个等间隔的放不同组分母液的母液方孔,滑块中间开有与外延衬底一样大小的衬底方孔,衬底方孔内置有调节衬底与孔道口高度的石墨垫片,衬底放在石墨垫片上。通过移动滑块使母液与衬底相接触,在衬底上外延生长一层薄膜材料。本发明的优点是:石墨舟的衬底槽改为衬底方孔,以舟体的底面作为安装石墨垫片和衬底的托底,使得石墨舟在加工过程中,孔内的垂直度和底面的平整度得到保证,并且通过石墨垫片可调节衬底的高度,这些特点能有效降低母液的残留,提高单晶薄膜的质量与成品率。
搜索关键词: 一种 用于 半导体材料 外延 生长 隧穿式 石墨
【主权项】:
1.本发明的石墨舟,包括:开有隧道的舟体(1)、与隧道横截面尺寸配合的滑块(2)、盖板(3)和石墨垫片(4),其特征在于:隧道(101)的顶面开有数个等间隔的放不同组分母液(7)的母液方孔(102),滑块(2)中间开有与外延衬底(5)一样大小的衬底方孔(201),衬底方孔内置有调节外延衬底与孔道口高度的石墨垫片(4),衬底放在石墨垫片上;母液方孔边长要小于衬底方孔边长0.05mm,即母液方孔尺寸为X×Y,衬底方孔尺寸为X+0.05mm×Y+0.05mm;隧道(101)的长度小于舟体的长度,隧道所处舟体的位置要保证滑块推入隧道时,滑块的衬底方孔能在隧道外,以舟体的底面作为托底安装石墨垫片(4)和衬底(5);滑块(2)的长度要保证其在隧道内移动时,使整个石墨舟保持平衡,并且保证数个母液方孔(102)能以滑块作为托底注入母液;盖板(3)盖在数个母液方孔(102)上,遮蔽母液方孔;滑块(2)的二端各开有一小孔用以插入手柄(6)推动滑块在隧道内移动。
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