[发明专利]一种适合薄太阳电池的背电极及制作方法无效
| 申请号: | 200710041404.5 | 申请日: | 2007-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN101315953A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
| 发明(设计)人: | 郭里辉 | 申请(专利权)人: | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200240上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明涉及太阳电池背电极结构和相关的制作方法,提出了由于背面铝电极所造成的太阳电池严重弯曲乃至碎裂的现象的解决方法。其特征在于,本发明所具有的太阳电池的正面结构与常规晶体硅太阳电池的正面结构相同,不同之处在于其背面电极结构及相关的制作方法。其基本构思是将常规背面铝电极的两个功能分开来,即将提供“背电场”的功能和和提供低电阻背面电极的功能分开来。背电极结构也可是非栅状的与背主电极相连的几何图形,如网状电极等。本发明的优点在于可克服由于背面铝电极所造成的太阳电池严重弯曲乃至碎裂的现象,同时仍保持P型硅基板太阳电池所必需的“背电场”,和所需的背电极的电性能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 适合 太阳电池 电极 制作方法 | ||
【主权项】:
本发明的权利要求如下:1.一种晶体硅太阳电池,其特征在于:太阳电池的背电极是由一种金属层(称为下层电极)均匀覆盖在硅基板的背面、和在该层之上的带有一定图案的另一种金属层(称为上层电极)所共同组成。上层电极覆盖在下层电极之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





