[发明专利]衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成技术无效

专利信息
申请号: 200710040514.X 申请日: 2007-05-10
公开(公告)号: CN101304003A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 李毅;蒋群杰;胡双双;武斌 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/144;G02B3/00;G03F7/00
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 宁芝华
地址: 200093*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成技术,是在紫外焦平面列阵制造完成后,在同一芯片的背面进行衍射微透镜列阵的制作,采用双面对准技术;组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵。双面对准技术是指双面同时曝光;或单面曝光、反面用红外对准;或单面曝光、反面用分离视场对准的光刻技术;组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺步骤是:直接在背照式紫外焦平面芯片的光入射面制备光刻掩模图形;在光刻掩模图形的表面淀积膜层;再将芯片浸入去胶剂中,通过摇晃或超声震动,将光刻胶上的膜层和光刻胶去除干净;重复上述步骤,可获得多台阶的表面浮雕结构。提高填充因子,可大大提高背照式紫外焦平面列阵和探测器列阵的光电性能。
搜索关键词: 衍射 透镜 列阵 紫外 平面 单片 集成 技术
【主权项】:
1.衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成技术,其特征在于:在紫外焦平面列阵制造工艺完成之后,在同一芯片上进行衍射微透镜列阵的制作,将衍射微透镜列阵制备在紫外焦平面列阵的背面,并采用双面对准技术;组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵。
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