[发明专利]衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成技术

权利要求书

1.衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，其特征在于：在紫外焦平面列阵制造工艺完成之后，在同一芯片上进行衍射微透镜列阵的制作，将衍射微透镜列阵制备在紫外焦平面列阵的背面，并采用双面对准方法；组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵，各项工艺的温度低于100℃。

2.根据权利要求1所述的衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，其特征在于：双面对准方法：包括双面同时曝光的光刻方法；或单面曝光、反面用红外对准的光刻方法；或单面曝光、反面用分离视场对准的光刻方法。

3.根据权利要求1所述的衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，其特征在于：组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵：其步骤如下：

a)利用光刻方法直接在背照式紫外焦平面芯片的光入射面制备光刻掩模图形；

b)采用镀膜方法在具有光刻掩模图形的表面淀积膜层；

c)将具有膜层的芯片浸入去胶剂中，浸泡3～5分钟；

d)通过摇晃或超声震动，将光刻胶上的膜层和光刻胶去除干净；

e)重复a)～d)的工艺步骤，以获得多台阶的表面浮雕结构；

f)将具有衍射微透镜的紫外焦平面列阵芯片用去离子水清洗1～2分钟；

g)最后用高纯氮气吹干。

4.根据权利要求1所述的衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，其特征在于：所述的组合多层镀膜，其膜层材料为蓝宝石、GaN、AlGaN、ZnO、SiC其中之一。