[发明专利]CMOS图像传感器的形成方法有效
| 申请号： | 200710040423.6 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101304005A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 霍介光;杨建平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，本发明在形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙工艺步骤之后在光电二极管区域的表面形成第二绝缘层进行保护，防止了随后的离子注入工艺中的光刻胶层沾污以及在表面形成金属离子。本发明在没有增加掩模版即工艺复杂度和工艺成本条件下，采用用来形成多晶硅栅侧墙第一绝缘层中的一层或者两层作为光电二极管区域的第二绝缘层对光电二极管表面进行保护，减小了暗电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，所述光电二极管区域半导体衬底中形成有具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第一导电类型与第二导电类型相反，所述外围电路区域形成有MOS晶体管的多晶硅栅；在半导体衬底表面形成第一绝缘层；在外围电路区域采用第一绝缘层形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙；去除光电二极管区域的表面残留的第一绝缘层，在光电二极管区域的表面形成第二绝缘层；在外围电路区域形成MOS晶体管的低掺杂源/漏扩散区和源/漏极；在光电二极管区域第二绝缘层之下的半导体衬底中形成具有第一导电类型的浅掺杂阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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