[发明专利]CMOS图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域，所述光电二极管区域半导体衬底中形成有具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第一导电类型与第二导电类型相反，所述外围电路区域形成有MOS晶体管的多晶硅栅；

在半导体衬底表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层为第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层组合构成；

在外围电路区域采用第一绝缘层形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙，同时保留半导体衬底表面上所述第一绝缘层的所述第一氧化硅层；

保留光电二极管区域的表面残留的所述第一氧化硅层，去除外围电路区域的表面的所述第一氧化硅层，在外围电路区域形成MOS晶体管的低掺杂源/漏扩散区和源/漏极；

在光电二极管区域表面残留的所述第一氧化硅层之下的半导体衬底中形成具有第一导电类型的浅掺杂阱。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于：形成深掺杂阱的深离子注入的能量范围为100至400KeV，剂量范围为1.0E+12至1.0E+13cm^-2。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于：形成浅掺杂阱的浅离子注入的能量范围为5至15KeV，剂量范围为2.0E+12至1.2E+13cm^-2。