[发明专利]一种喇叭状接触的制作方法无效
| 申请号： | 200710039800.4 | 申请日： | 2007-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101295665A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 程卫华;曾红林;叶彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种喇叭状接触的制作方法，包括如下步骤：在已经形成有源结构和隔离以及金属硅化物的硅衬底上形成第一绝缘层；再形成第二绝缘层；形成光刻胶，并光刻、显影形成光刻胶的接触孔图案；刻蚀第二和第一绝缘层，形成接触孔；回拉光刻胶；刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层形成喇叭状接触孔，所述刻蚀采用第二绝缘层/第一绝缘层选择性比高的气体进行刻蚀；去除光刻胶；填充接触金属，并平坦化；形成金属间电介质层，并刻蚀出金属线图案；填充第一金属，并平坦化；继续其他制程。该方法制作的喇叭状接触可以防止铜金属的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 喇叭 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种喇叭状接触的制作方法，包括如下步骤：在已经形成了有源结构、隔离以及金属硅化物的硅衬底上形成第一绝缘层；再形成第二绝缘层；形成光刻胶层，并光刻、显影形成光刻胶的接触孔图案；刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层，形成接触孔；回拉光刻胶，使光刻胶开口增大；刻蚀第一绝缘层和第二绝缘层形成喇叭状接触孔，所述刻蚀采用第二绝缘层/第一绝缘层选择性比高的气体进行刻蚀；去除光刻胶；填充接触金属，并平坦化；形成金属间电介质层，并刻蚀出金属线图案；填充第一金属，并平坦化；继续其他制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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