[发明专利]焊垫刻蚀的方法无效
| 申请号： | 200710039195.0 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101281868A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋巍;王宏玲;石小兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种焊垫刻蚀的方法，其包括如下步骤：清洗焊垫表面，依次刻蚀氮化物层，氧化物层以及氮化钛以使铝暴露出来；其中，该方法在刻蚀氧化物层时同时充入产生聚合物较少的气体。所述产生聚合物较少的气体为四氟化碳。与现有技术相比，本发明有效解决了由于八氟化四碳产生的聚合物较多而造成焊垫侧壁的聚合物不易被清洗的缺点，在不影响刻蚀效果的前提下适量降低八氟化四碳的浓度，而对应加入四氟化碳，有效减少在焊垫侧壁生成的聚合物，该聚合物更容易在后续清洗制程中清洗干净。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种焊垫刻蚀的方法，其包括如下步骤：清洗焊垫表面，依次刻蚀氮化物层，氧化物层以及氮化钛以使铝暴露出来；其特征在于：该方法在刻蚀氧化物层时同时充入产生聚合物较少的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
