[发明专利]焊垫刻蚀的方法无效
申请号: | 200710039195.0 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101281868A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 蒋巍;王宏玲;石小兵 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/60;H01L21/28 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
1. 一种焊垫刻蚀的方法,其包括如下步骤:清洗焊垫表面,依次刻蚀氮化物层,氧化物层以及氮化钛以使铝暴露出来;其特征在于:该方法在刻蚀氧化物层时同时充入产生聚合物较少的气体。
2. 如权利要求1所述的一种焊垫刻蚀的方法,其特征在于:所述产生聚合物较少的气体为四氟化碳。
3. 如权利要求2所述的一种焊垫刻蚀的方法,其特征在于:刻蚀氧化物层时需要充入氩气,氧气,四氟化碳以及八氟化四碳的混合气体,以去除焊垫上的氧化物层。
4. 如权利要求3所述的一种焊垫刻蚀的方法,其特征在于:刻蚀氧化物层时降低八氟化四碳的浓度以便四氟化碳充入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造