[发明专利]应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法有效
申请号: | 200710037701.2 | 申请日: | 2007-02-27 |
公开(公告)号: | CN101255552A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 吴万俊;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/32;C23C16/52;B05B1/14 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法。所述气体喷头由具有低电阻率的主体层及涂覆于其一表面上的碳化硅涂层组成。所述气体喷头能使射频能量高效地电容性耦合到等离子体中。本发明提供的气体喷头的制作方法,可以显著减少微尘粒子产生。另外,本发明提供的翻新和再利用气体喷头的方法,能够显著地节省使用者的使用成本。 | ||
搜索关键词: | 应用于 等离子体 反应 中的 气体 喷头 组件 制造 方法 及其 翻新 再利用 | ||
【主权项】:
1. 一种应用于电容耦合型等离子体反应室中的气体喷头,包括:主体层,其由低电阻率材料制成;由化学气相沉积产生的碳化硅涂层,其涂覆于该主体层的下表面上;穿透该主体层和该碳化硅涂层的多个气体喷射孔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的