[发明专利]应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法

权利要求书

1. 一种应用于电容耦合型等离子体反应室中的气体喷头，包括：

主体层，其由低电阻率材料制成；

由化学气相沉积产生的碳化硅涂层，其涂覆于该主体层的下表面上；

穿透该主体层和该碳化硅涂层的多个气体喷射孔。

2. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述主体层用石墨制成。

3. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述主体层用由石墨转化的碳化硅制成。

4. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述主体层由烧结的碳化硅或热压的碳化硅制成。

5. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述主体层的电阻率小于10ohm-cm。

6. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述由化学气相沉积产生的碳化硅涂层的电阻率在0.1ohm-cm和1e8ohm-cm之间。

7. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体喷射孔包括具有第一直径的第一部分气体喷射孔以及具有比第一直径小的第二直径的第二部分气体喷射孔，所述第一部分气体喷射孔至少部分地贯穿所述主体层，所述第二部分气体喷射孔与所述第一部分气体喷射孔同轴并且贯穿所述碳化硅涂层。

8. 如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体喷射孔是在所述主体层与由化学气相沉积产生的碳化硅涂层上钻孔后再对气体喷头进行退火而形成的。

9. 如权利要求1至8中的任一项所述的气体喷头，还进一步包括：位于主体层材料和由化学气相沉积产生的碳化硅涂层之间的粘合材料。

10. 一种电容耦合型等离子体反应室，包括：

腔体；

置于等离子体反应室腔体中的基片支撑座，所述基片支撑座内部设置有电极；

设置于等离子体反应室腔体顶部的气体喷头，所述气体喷头包括：由低电阻率材料制成的主体层、涂覆于主体层的下表面的由化学气相沉积产生的碳化硅涂层、以及贯穿主体层和碳化硅涂层的多个气体喷射孔。

11. 如权利要求10所述的等离子体反应室，其中所述主体层由烧结的碳化硅或热压的碳化硅制成。

12. 如权利要求10所述的等离子体反应室，其中所述主体层的电阻率小于10ohm-cm。

13. 如权利要求10所述的等离子体反应室，其中所述由化学气相沉积产生的碳化硅涂层的电阻率在0.1ohm-cm和1e8ohm-cm之间。

14. 如权利要求10所述的等离子体反应室，进一步包括：设置于所述气体喷头上方的温度控制元件，所述温度控制元件和气体喷头之间还设置有热传导薄膜，用以允许所述气体喷头和温度控制元件由于热膨胀而导致的相对运动。

15. 如权利要求10所述的等离子体反应室，其中所述多个气体喷射孔包括具有第一直径的第一部分气体喷射孔，以及具有比第一直径小的第二直径的第二部分气体喷射孔，所述第一部分气体喷射孔至少部分地贯穿所述主体层，所述第二部分气体喷射孔与所述第一部分气体喷射孔同轴并且贯穿所述由化学气相沉积产生的碳化硅涂层。

16. 一种翻新和再利用气体喷头的方法，所述气体喷头包括主体层和化学气相沉积涂层，并且所述化学气相沉积涂层在等离子体作用下会被腐蚀或消耗，该方法包括：

a.设置一最低容限，用以表征所述化学气相沉积涂层被腐蚀的最大允许值；

b.将气体喷头安装至等离子体反应室；

c.在等离子体反应室中进行等离子体工艺，以处理基片；

d.判断最低容限是否达到，如果达到，进行步骤e，如果没有，返回步骤c；

e.将气体喷头从等离子体反应室中移除；

f.去除至少部分剩余的化学气相沉积涂层；

g.沉积新的化学气相沉积涂层，在沉积的化学气相沉积涂层上钻气孔；

h.返回步骤b。

17. 如权利要求16所述方法，其中步骤g包括：沉积由化学气相沉积产生的碳化硅涂层。

18. 如权利要求16所述方法，其中步骤d进一步包括：在达到最低容限时，产生一通知信号提示用户。