[发明专利]超低介电常数聚酰亚胺的制备方法有效

专利信息
申请号: 200710032308.4 申请日: 2007-12-10
公开(公告)号: CN101186698A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 赵建青;谭麟;曾钫;刘述梅;叶华 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 李卫东
地址: 510640广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种超低介电常数聚酰亚胺的制备方法。该方法是将γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂加入到多金属氧酸盐水溶液中,制备多金属氧酸盐/硅烷杂化材料;然后将其加入到聚酰胺酸溶液中搅拌20~24小时后,涂膜,真空度为-0.1MPa的真空条件下80℃加热2h、100℃加热1h、200℃加热1h、300℃加热1h热酰亚胺化,冷却后制得超低介电常数聚酰亚胺薄膜。所得聚酰亚胺的介电常数可以降低至2以下,同时热学性能和机械性能也得到提高,当多金属氧酸盐/硅烷杂化材料加入量为20%时,以PMDA和ODA为单体的聚酰亚胺,介电常数降低至1.42,同时Tg提高80℃,杨氏模量提高110%。
搜索关键词: 介电常数 聚酰亚胺 制备 方法
【主权项】:
1.超低介电常数聚酰亚胺的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将γ-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂加入到质量百分含量为1%~3%的多金属氧酸盐水溶液中,调节pH值为1~2,20~40℃反应20~24h,过滤除去γ-氨丙基三乙氧基硅烷水解自聚物,滤液在氮气保护下减压蒸馏除去溶剂,然后在乙醚中重结晶,得到多金属氧酸盐/硅烷杂化材料;硅烷偶联剂加入量是多金属氧酸盐摩尔量的10~20倍;所述的多金属氧酸盐为单缺位或双缺位的Keggin结构的K8XY11O39或K8XY10O36,其中X=Si、P;Y=W、Mo;或者为单缺位或双缺位的Dawson结构的K6XY17O58或K6X2Y16O56,其中X=Si、P,Y=W、Mo;(2)将步骤(1)所得的多金属氧酸盐/硅烷杂化材料加入到预先制备的、以N-甲基吡咯烷酮为溶剂的聚酰胺酸溶液中,20~40℃下搅拌16~24h后,涂膜,真空度为-0.1MPa的真空条件下80℃加热2h、100℃加热1h、200℃加热1h、300℃加热1h热酰亚胺化,冷却后为超低介电常数聚酰亚胺薄膜;其中多金属氧酸盐/硅烷杂化材料按聚酰胺酸质量的5%~20%加入。
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