[发明专利]一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法无效
| 申请号： | 200710029783.6 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101104509A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;佘峻聪;刘俊;邓少芝;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料的制备领域，公开了一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法。首先在基底上刻蚀出微小的孔洞，然后将金属或者氧化物薄膜定位沉积在孔洞的底部，在高温退火下形成所需要的单个纳米颗粒，或者在金属或氧化物薄膜的作用(例如催化作用)下采用气相法或液相法生长出单根的一维纳米材料。本方法具有工艺简单、位置可控等优点，通过控制孔洞的位置，可以实现单根纳米材料的定位生长。本发明可大面积阵列式制备，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔洞 结构 制作 单个 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法，其特征在于以下顺序步骤：(a)在基底上刻蚀出孔洞结构；(b)在基底的孔洞底部定位沉积金属或氧化物薄膜；(c)采用纳米材料生长技术，在孔洞结构中制作单个的纳米材料。
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