[发明专利]垂直在硅/绝缘层结构衬底上的ZnO纳米结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200710028474.7 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101127380A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 李宝军;陈钰杰;余丁山 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0392;H01L31/0296;H01L31/18;H01L21/365;C30B29/66;C30B29/16;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直在硅/绝缘层结构(简称SOI，Silicon－on－Insulator)衬底上的ZnO(氧化锌)纳米结构及其制备方法。本发明垂直在硅/绝缘层结构衬底上的ZnO纳米结构是在硅/绝缘层结构衬底表面垂直生长有呈六边形结构的ZnO纳米盘，ZnO纳米盘均是六方纤锌矿结构的单晶，其为厚度相对于对角线长度小得多的超薄结构，其厚度和对角线长度分别介于10～20nm和0.8～3μm，因此具有超薄的形貌特征。本发明纳米盘的制备采用化学气相沉积方法，所用设备简单，易于操作；对载气要求不高，只需要氩气就可以，不需要加氧气(利用瓷管内残余氧气来同蒸发的锌蒸气进行反应生成氧化锌)等另外的气体；并且不需要使用金属催化剂，能保证较高的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 绝缘 结构 衬底 zno 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直在硅/绝缘层结构衬底上的ZnO纳米结构，其特征在于在硅/绝缘层结构衬底表面垂直生长有呈六边形结构的ZnO纳米盘。
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