[发明专利]连熔法生产半导体技术用大口径透明石英玻璃管的方法

摘要

连熔法生产半导体技术用大口径透明石英玻璃管的方法，其特征在于，将石英玻璃原料高纯石英砂投入连熔炉内，通过电加热熔融，熔融后的石英玻璃液经成形器、料台及拉管机拉制成大口径透明石英玻璃管；原料高纯石英砂在投入连熔炉后、加热熔融前，对高纯石英砂进行200－280分钟的预热处理，将高纯石英砂预热至750－850℃，再进行加热熔融；所述的连熔炉钨钼坩埚上部为预热段，下部为熔融段，预热处理在连熔炉钨钼坩埚的预热段内进行；所述钨钼坩埚的直径为340－360mm，高度为1400－1600mm；连熔炉内的熔融温度为2150－2250℃；所述的成形器的直径为230－260mm；连熔炉的料台直径为244－264mm；熔融段通入连熔炉的电加热钼电极的电流为215－225A，电压为19－20V。所得石英管规格大、质量好，完全适用于半导体技术要求。

主权项

1、一种连熔法生产半导体技术用大口径透明石英玻璃管的方法，其特征在于，将石英玻璃原料高纯石英砂投入连熔炉内，通过电加热熔融，熔融后的石英玻璃液经成形器、料台及拉管机拉制成大口径透明石英玻璃管；原料高纯石英砂在投入连熔炉后、加热熔融前，对高纯石英砂进行200-280分钟的预热处理，将高纯石英砂预热至750-850℃，再进行加热熔融；所述的连熔炉钨钼坩锅上部为预热段，下部为熔融段，预热处理在连熔炉钨钼坩锅的预热段内进行；所述钨钼坩锅的直径为340-360mm，高度为1400-1600mm；连熔炉内的熔融温度为2150-2250℃；所述的成形器的直径为230-260mm；连熔炉的料台直径为244-264mm；熔融段通入连熔炉的电加热钼电极的电流为215-225A，电压为19-20V。