[发明专利]多晶硅薄膜及其组件的制备方法有效
| 申请号： | 200710018887.7 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101140866A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 范多旺;王成龙;范多进;令晓明;孔令刚 | 申请（专利权）人： | 兰州大成自动化工程有限公司;兰州交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18;C30B30/04 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张真 |
| 地址： | 730070*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10－4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 及其 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜制备方法，其特征包括有如下步骤：A.基底清洗，在超声清洗机中用清洗液和纯净水的混合液对基底进行表面清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10-4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在安装基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs；开始磁控溅射镀膜，在基底表面形成多晶硅薄膜；基底温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
