[发明专利]双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法无效
申请号: | 200710009975.0 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101457398A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 王国富;庄任重;林州斌;张莉珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法,涉及人工晶体领域。采用提拉法,生长温度1200℃,10~30转/分钟的晶体转速,0.1~0.5毫米/小时的拉速,生长出了高光学质量、较大尺寸的Na+/Yb3+∶SrMoO4晶体。该晶体属四方晶系,空间群为I4(1)/a,光谱分析表明,该晶体具有宽的吸收和发射线宽,适合于采用LD泵浦,可作为可调谐和飞秒脉冲激光晶体,产生1020nm左右波长的激光输出。 | ||
搜索关键词: | 双掺镱 钠离子 钼酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Na+/Yb3+:SrMoO4,属于四方晶系,空间群为I4(1)/a,晶胞参数为
,
,
,Dc=4.86g/cm3,Yb3+离子作为激光激活离子,其掺杂浓度在8at.-15at.%之间,Na+离子作为价态补偿离子,其掺杂浓度在8at.-15at.%之间。
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