[发明专利]多端口半导体存储器件及其信号输入/输出方法无效
| 申请号： | 200710006781.5 | 申请日： | 2007-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101025996A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 安孝珠;金南钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提出了一种多端口半导体存储器件及其信号输入/输出方法。在一个实施例中，多端口半导体存储器件包括多个不同输入/输出端口和存储阵列。所述存储阵列具有可以通过使用不同输入/输出端口进行存取的至少一个存储区域。所述不同输入/输出端口包括：第一输入/输出端口，通过所述第一输入/输出端口输入/输出第一信号；以及第二输入/输出端口，通过所述第二输入/输出端口输入/输出与第一信号不同的第二信号。将存储区域分成多个存储区域。本发明提供了减少测试管脚的数目以及改善测试效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多端 半导体 存储 器件 及其 信号 输入 输出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：多个输入/输出端口；以及存储阵列，包括多个存储区域，其中通过使用第一输入/输出端口和第二输入/输出端口来对至少一个存储区域进行存取，其中将第一信号从所述第一输入/输出端口进行输入/输出，以及将与第一信号不同的第二信号从第二输入/输出端口进行输入/输出。
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