[发明专利]使用半导体工艺制造压印模板的方法及所制得的压印模板有效

专利信息
申请号: 200710005945.2 申请日: 2007-02-15
公开(公告)号: CN101246307A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 周珮玉;廖俊雄 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;B81C1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法,包括以光刻及蚀刻方法将基板上具有厚度在1000埃至8000埃的氧化物层蚀刻,以形成具有多个柱状凹洞的图形,而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。可进一步于柱状凹洞中填入材料层,及移除部分的氧化物层,以形成具有多个柱状突出物的压印模板。或可仅以硅基板取代基板及基板上的氧化物层。依据本发明的压印模板具有可大量制造、制造快速、及成本低的优点,并且适合用以制造光子晶体制造用的压印模板。
搜索关键词: 使用 半导体 工艺 制造 压印 模板 方法
【主权项】:
1. 一种使用半导体工艺制造压印模板的方法,包括:提供基板;于该基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层;于该氧化物层上形成光刻胶层;将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形;经由该多个开口蚀刻该氧化物层,以形成多个柱状凹洞;及移除该光刻胶层,而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。
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