[发明专利]包含纳米晶的存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710005875.0 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101030600A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙;崔诚宰;崔在荣;闵约赛;张银珠;李东旗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种存储装置，包括：衬底；源区；在衬底上形成的并与源区相互隔离的漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。第二隧穿氧化物层为亲水性，其上可引入氨基硅烷基团来给予静电吸引，由此使纳米晶单层得以形成。因而能控制并改善存储装置的设备特征。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 纳米 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，包括：衬底；在衬底上形成并相互隔离的源区和漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。
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