[发明专利]采用气体分离型喷头的原子层沉积装置无效
申请号: | 200710005658.1 | 申请日: | 2007-03-08 |
公开(公告)号: | CN101041893A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 裵根鹤;金京洙;金昊植 | 申请(专利权)人: | 韩商奥拓股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01L21/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种采用气体分离型喷头的原子层沉积(ALD)装置。因此,原子层沉积装置采用气体分离型喷头,所述气体分离型喷头包括气体供应模块、气体分离模块和气体注入模块。所述ALD装置包括:第一前体源,储存第一前体并连接到外供应管;第二前体源,储存第二前体并连接到内供应管;吹扫气体源,储存吹扫气体并连接到外供应管和内供应管;电源,将电离用的能量应用于气体分离模块;以及排气装置,排出反应室中的剩余材料。 | ||
搜索关键词: | 采用 气体 分离 喷头 原子 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种采用气体分离型喷头的原子层沉积装置,所述气体分离型喷头包括:具有外供应管和内供应管的气体供应模块,通过所述外供应管提供第一前体,通过所述内供应管提供第二前体;具有第一分散区域和第二分散区域的气体分离模块,所述第一分散区域连接到所述外供应管,所述第二分散区域连接到所述内供应管;以及具有多个公共孔的气体注入模块,所述第一前体和所述第二前体通过所述多个公共孔交替地注入到反应室中,所述原子层沉积装置包括:第一前体源,其储存所述第一前体并连接到所述外供应管;第二前体源,其储存所述第二前体并连接到所述内供应管;吹扫气体源,其储存吹扫气体并连接到所述外供应管和所述内供应管;以及排气装置,其排出所述反应室中的剩余材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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