[发明专利]改善大面积镀膜均匀性的方法无效
| 申请号: | 200710005079.7 | 申请日: | 2007-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN101245446A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;C23F4/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种改善大面积镀膜均匀性的办法。在电容耦合式平行电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,将大面积的激发电极进行虚拟的延伸或改变,以减少被引入的射频功率在边界反射和干涉而造成的激发电场的不均匀分布。这种方法简单易行,适用于任何形状的电极,且不需对PECVD系统作出重大改动。 | ||
| 搜索关键词: | 改善 大面积 镀膜 均匀 方法 | ||
【主权项】:
1. 一个等离子体处理设备,包括具有一对大面积平行板状电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,使用高频率或极高频率的电容耦合激发方式产生并维持等离子体,从而进行薄膜沉积或蚀刻。其特征在于:激发电极的面积不小于1平方米,且在譬如射频的高频率等离子体镀膜时具有良好的激发电场均匀性,原因是该激发电极与外界的另一个或数个非镀膜用的虚拟电极或外置虚拟负载相连接,所述虚拟电极和虚拟负载并不直接参与导致镀膜或蚀刻的等离子体过程。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





