[发明专利]改善大面积镀膜均匀性的方法

权利要求书

1. 一个等离子体处理设备，包括具有一对大面积平行板状电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，使用高频率或极高频率的电容耦合激发方式产生并维持等离子体，从而进行薄膜沉积或蚀刻。其特征在于：激发电极的面积不小于1平方米，且在譬如射频的高频率等离子体镀膜时具有良好的激发电场均匀性，原因是该激发电极与外界的另一个或数个非镀膜用的虚拟电极或外置虚拟负载相连接，所述虚拟电极和虚拟负载并不直接参与导致镀膜或蚀刻的等离子体过程。

2. 根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述外置虚拟负载是一个可被独立调节的阻抗匹配器，它被连接到激发电极上与提供交流功率的电缆的接触点相对称且尽可能远的一点。

3. 根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述虚拟电极为一个平行放置在激发电极之下，并与其在各个角落导电相连的不暴露于等离子体的金属平板。

4. 根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于：该设备含有多个如权利要求1所描述的激发电极，以便同时为多个大型基板提供等离子体镀膜或蚀刻。