[发明专利]作为非晶硅电池p层的透明导电聚合物无效
| 申请号： | 200710004982.1 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101246951A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了p型聚合物薄膜在氢化非晶硅光伏器件中的应用。真空镀膜产生的10－30纳米厚的透明p型聚合物，可被用做p－i－n型非晶硅太阳能电池的p层，减少光吸收损失，从而提高其输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 非晶硅 电池 透明 导电 聚合物 | ||
【主权项】：
1. 一个p-i-n型光伏元件，它被放置于一个由透明金属氧化物构成的前接触层上，其特征在于：a)一个p层，由光带隙不小于2.2eV的p型导电或半导电聚合物薄膜构成；b)一个i层，由非掺杂的氢化非晶硅薄膜构成，其厚度不超过400纳米，被放置在所述p层之上；c)一个n层，由磷掺杂的基于氢化硅或其合金的薄膜构成，被放置在所述i层之上；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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