[发明专利]作为非晶硅电池p层的透明导电聚合物

权利要求书

1. 一个p-i-n型光伏元件，它被放置于一个由透明金属氧化物构成的前接触层上，其特征在于：

a)一个p层，由光带隙不小于2.2eV的p型导电或半导电聚合物薄膜构成；

b)一个i层，由非掺杂的氢化非晶硅薄膜构成，其厚度不超过400纳米，被放置在所述p层之上；

c)一个n层，由磷掺杂的基于氢化硅或其合金的薄膜构成，被放置在所述i层之上；

2. 根据权利要求所述的p-i-n型光伏元件，其特征在于：在所述p层和所述i层之间，添加一个厚度不超过5纳米的、硼掺杂的基于氢化非晶硅的宽带隙薄膜。

3. 根据权利要求所述的p-i-n型光伏元件，其特征在于：所述p层由真空镀膜方法形成的，厚度不超过30纳米的p型聚合物构成，包括聚集乙炔和聚合氮硫化合物。