[发明专利]成像设备、放射线成像设备及其制造方法有效
申请号: | 200710004773.7 | 申请日: | 2007-01-30 |
公开(公告)号: | CN101013711A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 渡边实;望月千织;石井孝昌 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12;H01L21/84;G03B42/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种成像设备,包括以二维方式设置在绝缘基板上的多个像素,每个像素包括转换元件和薄膜晶体管;该光电转换元件设置在薄膜晶体管之上,其中用作层间绝缘膜的绝缘膜插入转换元件与薄膜晶体管之间;通过设置在绝缘膜中的接触孔使薄膜晶体管的源电极或漏电极与光电转换元件彼此连接。该成像设备具有其中通过激光束照射移除接触孔部分从而断开了转换元件与用作薄膜晶体管的源电极或漏电极的导电层之间的电连接的像素。 | ||
搜索关键词: | 成像 设备 放射线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成像设备,包括:设置在绝缘基板上的多个像素,所述多个像素中的每一个都包括:具有源电极和漏电极的薄膜晶体管;设置在薄膜晶体管之上的转换元件;以及设置在薄膜晶体管与转换元件之间的绝缘膜,其中所述多个像素包括:其中通过设置在绝缘膜中的接触孔使薄膜晶体管的源电极或漏电极与转换元件彼此连接的像素;以及其中与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接的转换元件、绝缘膜和导电层被一同移除从而断开了薄膜晶体管与转换元件之间的电连接的像素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的