[发明专利]非挥发性存储器的制造方法

摘要

本发明涉及一种非挥发性存储器的制造方法，包括下列步骤。提供具有存储单元区与周边电路区的基底。于基底上形成第一介电层与第一导体层。于存储单元区的基底上依序形成栅间介电层、第二导体层与牺牲层。于周边电路区的第一导体层上形成第三导体层。图案化存储单元区的牺牲层、第二导体层、栅间介电层与第一导体层以形成堆迭结构。图案化周边电路区的第三导体层与第一导体层以形成栅极结构。于基底上形成层间绝缘层后，移除层间绝缘层直到暴露出堆迭结构的顶部表面。移除牺牲层，以于第二导体层上形成开口。然后，于开口中填入第四导体层。

主权项

1. 一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底，该基底具有一存储单元区与一周边电路区，该基底中已形成多个元件隔离结构，以定义出一有源区，在该有源区上已形成一第一介电层与一第一导体层；于该基底上形成一栅间介电层；于该基底上形成一第二导体层；移除该周边电路区的该基底上的该第二导体层与该栅间介电层；于该周边电路区的该第一导体层上形成一第三导体层；于该存储单元区的该第二导体层上形成一牺牲层；图案化该存储单元区的该牺牲层、该第二导体层、该栅间介电层与该第一导体层，以形成一堆迭结构；图案化该周边电路区的该第三导体层与该第一导体层，以形成一栅极结构；于该基底上形成一层间绝缘层，该层间绝缘层覆盖该堆迭结构与该栅极结构；移除该层间绝缘层直到暴露出该存储单元区的该牺牲层；移除该牺牲层，以于该第二导体层上形成一开口；以及于该开口中填入一第四导体层。