[发明专利]多层半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以形成多个开口，其露出在开口底部的衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过利用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单晶半导体膜。

主权项

1.一种制造多层半导体集成电路的方法，包括：在第一有源半导体结构上形成第一多个晶体管，该第一多个晶体管具有设置在第一衬底上的各个栅结构以及设置在第一衬底内的源区或漏区；在第一衬底和栅结构上淀积第一绝缘层；蚀刻第一绝缘层以形成多个开口，该多个开口露出接触开口的底部的部分第一衬底；使用与第一衬底相同的材料填充开口；在绝缘层以及被填充的开口上形成第二有源半导体层；使得第二有源半导体层经受至少一种激光照射的应用，以形成突起区域，其峰值位于或者接近于两个相邻开口的中间；在第二有源半导体结构上形成第二多个晶体管，该第二多个晶体管具有在第二有源半导体层上设置的各个栅结构以及在第二有源半导体层内的源和漏；在第二有源半导体层以及第二多个晶体管的栅结构上淀积第二绝缘层；蚀刻位于或者接近于突起区域的峰值的部分第二绝缘层，以形成延伸到第一衬底的表面的接触孔；以及在接触孔中淀积导电层，以形成将第一有源半导体结构的晶体管电连接到第二有源半导体结构的晶体管的接触结构。