[发明专利]半导体生产过程中废气的处理设备及方法无效

专利信息
申请号: 200710002563.4 申请日: 2007-01-29
公开(公告)号: CN101234282A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 李沅民;马昕 申请(专利权)人: 北京行者多媒体科技有限公司
主分类号: B01D53/46 分类号: B01D53/46;B01D53/76
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100086北京市海淀区中关村南大街*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一个新颖的使用燃煤炉处理硅烷的设备及方法,适用于半导体生产过程。在燃煤炉中穿孔的煤块被有规律地替换添加。被镀膜设备排出的废气进入煤的燃烧区域,含硅的材料这时候被热沉积在燃烧的煤的表面,或者和氧气反应生成二氧化硅而集聚在煤的表面。本发明的显著特点是在不可比拟的低成本下就能高效可靠地为真空镀膜系统处理废气。
搜索关键词: 半导体 生产过程 废气 处理 设备 方法
【主权项】:
1. 一个废气处理系统,其特征是包括如下组成部分:a)一个金属或者金属合金的密封的煤炉炉壁;b)煤料,所指煤料被置于所指炉壁中,所指煤料中间有相通的孔洞,气体可从整个所指煤料中流通;c)一个安装在所指炉壁上的废气进口;d)一个安装在所指炉壁上的开口可调节的空气进口,允许所指煤料在该炉壁中燃烧;e)不断更换补充煤料的机制;f)收集和清理煤灰的机制;g)一个安装在所指炉壁上的排气出口,该出口和所指废气进口之间被所指煤料隔开。
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