[发明专利]高压固相晶化法无效
| 申请号： | 200710002562.X | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101235534A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/12 | 分类号： | C30B1/12;C30B28/02;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将非晶硅薄膜转化成多晶硅的方法。将沉积于基板上的氢化非晶硅薄膜或其器件置于不小于200个大气压的高压氢气环境中，在不低于600℃的温度下，维持2－20小时，所得到的氢钝化的多晶硅薄膜可直接被用做高效率的光电转换材料。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 固相晶化法 | ||
【主权项】：
1. 一个多晶硅薄膜，该薄膜厚度不超过5微米，平行于基板的粒径不小于10微米，其特征在于：它的形成过程是，将低温下在等离子体增强化学气相沉积系统中生长的氢化非晶硅薄膜置入一个密封的箱体，在箱体中引入含有氢气的压力不低于200个大气压的气体，并维持在不低于600℃的温度下，持续2-20小时。
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- 曹宏;胡勇;骆真;姜媛;薛俊;李先福;季家友;石和彬 - 武汉工程大学
- 2019-12-18 - 2021-04-06 - C30B1/12
- 本发明涉及一种利用化学石膏制备硫酸钙晶须的方法及由其制备的硫酸钙晶须，包括如下步骤：1)浇注成型：将化学石膏、半水石膏晶须和水拌和均匀后浇注模具中，静置凝固得到石膏块，脱模得到待蒸压石膏块，所述化学石膏、半水石膏晶须和水的质量比为(41‑61)：(11～23):(29～35)；2)高温蒸压处理：将得到的待蒸压石膏块堆码后，在135～200℃下，高温蒸压2～10h；3)后处理：将蒸压处理后的石膏块在60～200℃的热空气下烘干、碾粉得到硫酸钙晶须。基于申请的方法，可用以大宗消耗化学石膏并制备得到硫酸钙晶须，且工艺简单、成本低、绿色环保。
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