[发明专利]固体摄影装置有效
| 申请号： | 200710001841.4 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1996606A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 井原久典 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种固体摄影装置，具有在半导体衬底上以行列状配置单位单元而成的摄影区域，其中，所述单位单元具有：在所述半导体衬底内设置的、把输入光信号光电变换为信号电荷、积蓄信号电荷的光电二极管、在所述半导体衬底的表层部接近所述光电二极管设置的、向信号电荷检测部传送在所述光电二极管上积蓄的信号电荷的MOS型读出晶体管、放大向所述信号电荷检测部传送的信号电荷后输出电压信号的放大晶体管，所述信号电荷检测部由在所述读出晶体管的漏极侧的半导体区域的表层部的一部分上形成的离子注入区形成。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄影 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄影装置，具有在半导体衬底上以行列状配置单位单元而成的摄影区域，其中，所述单位单元具有：在所述半导体衬底内设置的、把输入光信号光电变换为信号电荷、积蓄信号电荷的光电二极管、在所述半导体衬底的表层部接近所述光电二极管设置的、向信号电荷检测部传送在所述光电二极管上积蓄的信号电荷的MOS型读出晶体管、放大向所述信号电荷检测部传送的信号电荷后输出电压信号的放大晶体管，所述信号电荷检测部由在所述读出晶体管的漏极侧的半导体区域的表层部的一部分上形成的离子注入区形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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