[发明专利]具有异质结双极晶体管的射频功率放大模块

摘要

本发明针对根据HBT的接地发射极电流放大系数的随时间的变化、温度相关性、偏差等补偿RF功率模块的电特性。化合物半导体集成电路将取决于HBT的hFE的参考HBT的参考电流提供到硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输入端。从硅半导体集成电路的第一电流反射镜的输出端，利用响应于HBT的hFE的减小而增大的偏置电流，化合物半导体集成电路的输出HBT的基极被偏置。

主权项

1、一种包括化合物半导体集成电路和硅半导体集成电路的RF功率模块，其中化合物半导体集成电路包括输出异质结双极晶体管和参考异质结双极晶体管，它们通过相同生产工艺被形成在化合物半导体芯片上，输出异质结双极晶体管作为功率放大晶体管用于输出RF发射输出信号，输出异质结双极晶体管以公共发射极工作，参考异质结双极晶体管也以公共发射极工作，取决于发射极的接地发射极电流放大系数值的参考电流流入参考异质结双极晶体管中，其中硅半导体集成电路包括用于硅半导体衬底上的异质结双极晶体管的偏置电路，该偏置电路包括第一电流反射镜，参考异质结双极晶体管的参考电流作为输入电流流入到第一电流反射镜，并且第一电流反射镜产生响应接地发射极电流放大系数的减小而增大的输出偏置电流，其中，化合物半导体集成电路的参考异质结双极晶体管的参考电流流入的外部参考输出端与硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输入端被相互电连接，并且硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输出端与连接到输出异质结双极晶体管的基极的化合物半导体集成电路的外部端子被相互电连接。