[发明专利]能够补偿状态间读取裕度减小的闪速存储器编程方法有效
| 申请号： | 200710001671.X | 申请日： | 2007-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101000803A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜东求;林瀛湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种闪速存储器件的编程方法，所述闪速存储器件包括用于存储表示状态之一的多比特数据的多个存储单元。所述编程方法包括：通过使用多比特数据对选择为要具有多个状态之一的存储单元进行编程；在具有各个状态的已编程的存储单元分布于其中的、阈值电压分布的预定区域之内，检测已编程的存储单元，其中，通过第一验证电压和读取电压之一以及第二验证电压来选择各个状态的预定区域，第一验证电压比第二验证电压低而比读取电压高；以及对已检测的存储单元进行编程，以具有与各个状态相对应的第二验证电压相等或比所述第二验证电压高的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 补偿 状态 读取 减小 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于闪速存储器件的编程方法，所述闪速存储器件具有存储表示多个状态之一的多比特数据的多个存储单元，所述编程方法包括：使用多比特数据对选择为要具有多个状态之一的存储单元进行编程；在阈值电压分布的预定区域之内，检测已编程的存储单元，其中，已编程的存储单元具有多个状态之一，其中，通过第一验证电压和读取电压之一以及第二验证电压来选择所述预定区域，第一验证电压比第二验证电压低而比读取电压高；以及对已检测的存储单元进行编程，以具有与各个状态相对应的第二验证电压相等或比所述第二验证电压高的阈值电压。
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