[发明专利]集成电路梳形电容器及其形成方法有效
| 申请号： | 200710001597.1 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101000890A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | D·C·埃德尔斯腾;T·J·多尔顿;E·E·叶舒;A·K·斯坦珀;J·P·甘比诺;S·L·兰;A·K·津达金迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明旨在提供具有电容器电极的集成电路梳形电容器，该电容器电极与在相同的金属布线级中并且以相同的间距形成的其它互连和过孔接触相比，在相邻电容器电极之间具有增加的电容。本发明通过使用至多一个附加非必需的光掩膜获得了电容器，其将电容公差最小化并保持寄生电极－衬底电容耦合的对称，而没有对在相同布线级中形成的其它互连和过孔接触产生不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成电容器的方法，包括如下步骤：在介质中形成至少一个电容器开口和至少一个非电容器开口，所述电容器和非电容器开口在相同的金属布线级中形成；以及，修改沿所述至少一个电容器开口的表面的所述介质，以使所述修改增加所述电容器的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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