[发明专利]直接镀覆方法和钯导电体层形成溶液有效
| 申请号： | 200680056449.3 | 申请日： | 2006-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101605928A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 山本久光 | 申请（专利权）人： | 上村工业株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/54 | 分类号： | C25D5/54;C25D5/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对待镀覆物体的表面进行用于给予钯催化剂的处理，以在其绝缘部分的表面上给予钯催化剂。在绝缘部分上由钯导电体层形成溶液形成钯导电体层，所述溶液含有钯化合物、胺化合物和还原剂。然后通过电镀在钯导电体层上直接形成铜沉积物。因此，用钯导电体层形成溶液将工件转变成导体，所述溶液是中性的，不使用高碱性无电镀铜溶液。结果，保护聚酰亚胺不受到侵蚀并且不对附着性施加不利影响。通过向钯导电体层形成溶液加入唑类化合物，防止钯导电体层沉积在铜上。因此，基板上存在的铜部分和通过电镀形成的铜沉积物之间的连接的可靠性是显著的。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 镀覆 方法 导电 形成 溶液 | ||
【主权项】：
1.直接镀覆方法，其用于对具有绝缘部分的工件的所述绝缘部分实施电解镀铜，其特征在于：对所述工件表面进行钯催化剂处理以将钯催化剂施加到绝缘部分的表面上；用钯导电体层形成溶液在所述绝缘部分上形成钯导电体层，所述溶液包含钯化合物、胺化合物和还原剂，同时使用如此施加的钯作为催化剂；和然后在所述钯导电体层上直接形成电解铜镀膜。
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