[发明专利]具有与非门的NBTI-恢复存储单元有效
申请号: | 200680055721.6 | 申请日: | 2006-09-28 |
公开(公告)号: | CN101506899A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | J·阿韦利亚;X·韦拉;O·云萨尔;A·冈萨雷斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C11/412 | 分类号: | G11C11/412 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种NBTI-恢复存储单元,其由包含多个与非门的环构成。将所述与非门布置为,使所述与非门之一在其输出端具有“0”,而使其余与非门在其输出端具有“1”。所述存储单元内的PMOS晶体管所经受的劣化要比在基于倒相器的存储单元中低。能够减小保护频带,以便防止晶体管劣化,同时可以提高存储单元的工作频率。 | ||
搜索关键词: | 具有 与非门 nbti 恢复 存储 单元 | ||
【主权项】:
1、一种存储单元,包括:多个与非门,各包括:第一p型晶体管和第二p型晶体管;第一n型晶体管和第二n型晶体管;第一输入端;第二输入端;以及输出端;其中,所述多个与非门中的第一与非门的输出端耦合至所述多个与非门中的其它与非门的输入端之一。
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