[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200680053168.2 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101379623A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 锅仓互;竹内良一 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种透明衬底发光二极管(10)，具有由化合物半导体制成的发光层(133)，其中其上形成有第一电极(15)和极性与所述第一电极(15)不同的第二电极(16)的光提取表面的面积(A)、形成为接近所述光提取表面的所述发光层(133)的面积(B)、以及发光二极管的位于与用于形成所述第一电极(15)和所述第二电极(16)的一侧相反的一侧上的背面的面积(C)如此相关联，以满足式A＞C＞B的关系。由于发光层(133)的面积和透明衬底的背面(23)的面积的关系以及透明衬底(14)的侧面形状的最优化，本发明的发光二极管(10)呈现迄今从未获得的高亮度和高放热特性，并且适合在高电流水平下使用。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，具有透明衬底和由化合物半导体制成的发光层，其中其上形成有第一电极和极性与所述第一电极不同的第二电极的光提取表面的面积(A)、形成为接近所述光提取表面的所述发光层的面积(B)、以及所述发光二极管的位于与用于形成所述第一电极和所述第二电极的一侧相反的一侧上的背面的面积(C)如此相关联，以满足式A>C>B的关系。
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