[发明专利]非球形半导体纳米晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200680052984.1 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101374980A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | K·－T·雍;Y·萨霍;M·斯维哈特;P·普拉萨德 | 申请（专利权）人： | 纽约州州立大学研究基金会 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;李连涛 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制备非球形半导体纳米晶体的方法。此方法包括，提供包含第一前体化合物、溶剂和表面活性剂的反应混合物，其中所述第一前体化合物具有第II族或第IV族元素；并且使反应混合物与纯贵金属纳米颗粒晶种接触。将反应混合物加热。在有效产生非球形半导体纳米晶体的条件下，将具有第VI族元素的第二前体化合物加入到加热的反应混合物。本发明也公开非球形半导体纳米晶体及由以上方法制备的纳米晶体群。 | ||
| 搜索关键词： | 球形 半导体 纳米 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备非球形半导体纳米晶体的方法，所述方法包括：提供包含第一前体化合物、溶剂和表面活性剂的反应混合物，其中所述第一前体化合物包含第II族或第IV族元素；使所述反应混合物与纯贵金属纳米颗粒晶种接触；加热反应混合物；并且在有效产生非球形半导体纳米晶体的条件下，将含有第VI族元素的第二前体化合物加入到所述加热的反应混合物中。
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