[发明专利]具有隧穿势垒嵌在无机基质中的量子点的中能带光敏器件有效

专利信息
申请号: 200680052816.2 申请日: 2006-12-07
公开(公告)号: CN101375407A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 史蒂芬·R·福里斯特 申请(专利权)人: 普林斯顿大学理事会
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 车文;郑立
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 多个量子点包括第一无机材料,每个量子点由第二无机材料覆盖。所述被覆盖的量子点处于第三无机材料的基质中。至少所述第一和第三材料是光导半导体。将所述第二材料设置为隧穿势垒,以要求所述第三材料中的隧穿势垒基部处的电荷载流子(电子或空穴)执行量子机械隧穿,从而到达各个覆盖量子点内的所述第一材料。每个量子点中的第一量子态位于在其中嵌入覆盖量子点的所述第三材料的导带边缘和价带边缘之间。所述多个量子点的第一量子态的波函数可以重叠形成中能带。
搜索关键词: 具有 隧穿势垒嵌 无机 基质 中的 量子 能带 光敏 器件
【主权项】:
1.一种器件,包括:多个量子点,包括第一无机材料,每个量子点由第二无机材料覆盖,所述被覆盖的量子点被嵌入在第三无机材料的基质中,至少所述第一和第三材料是光导半导体,第二材料,设置为隧穿势垒,以要求所述第三材料中的导带边缘处的电子执行量子机械隧穿,从而到达各个被覆盖的量子点内的第一材料,以及第一量子态,位于每个量子点中的带隙上面,所述每个量子点处于其中嵌入所述被覆盖的量子点的第三材料的导带边缘和价带边缘之间,其中所述多个量子点的第一量子态的波函数重叠作为中能带。
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