[发明专利]具有隧穿势垒嵌在无机基质中的量子点的中能带光敏器件有效
申请号: | 200680052816.2 | 申请日: | 2006-12-07 |
公开(公告)号: | CN101375407A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 史蒂芬·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 车文;郑立 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 多个量子点包括第一无机材料,每个量子点由第二无机材料覆盖。所述被覆盖的量子点处于第三无机材料的基质中。至少所述第一和第三材料是光导半导体。将所述第二材料设置为隧穿势垒,以要求所述第三材料中的隧穿势垒基部处的电荷载流子(电子或空穴)执行量子机械隧穿,从而到达各个覆盖量子点内的所述第一材料。每个量子点中的第一量子态位于在其中嵌入覆盖量子点的所述第三材料的导带边缘和价带边缘之间。所述多个量子点的第一量子态的波函数可以重叠形成中能带。 | ||
搜索关键词: | 具有 隧穿势垒嵌 无机 基质 中的 量子 能带 光敏 器件 | ||
【主权项】:
1.一种器件,包括:多个量子点,包括第一无机材料,每个量子点由第二无机材料覆盖,所述被覆盖的量子点被嵌入在第三无机材料的基质中,至少所述第一和第三材料是光导半导体,第二材料,设置为隧穿势垒,以要求所述第三材料中的导带边缘处的电子执行量子机械隧穿,从而到达各个被覆盖的量子点内的第一材料,以及第一量子态,位于每个量子点中的带隙上面,所述每个量子点处于其中嵌入所述被覆盖的量子点的第三材料的导带边缘和价带边缘之间,其中所述多个量子点的第一量子态的波函数重叠作为中能带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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